kiếm người giải bài môn dụng cụ bán dẫn

Bài 1:
a. Khoảng cách giữa các hạt lân cận nhất trong silicon
b. Tìm số lượng nguyên tử trong 1cm2 trong Silicon trong mặt phẳng (100) , (110) , (111).
Bài 2:
Nếu một mặt phẳng cắt trục x, y, z của hệ tọa độ Cartesian tại các điểm sau đây. Hãy tìm chỉ số Miller của mặt phẳng.
a. 2a,3a,4a b. a,5a,4a c. 3a,2a,5a
với a là hắng số mạng.
Bài 3:
a. Tính mật độ của GaAs khi biết, hằng số mạng là 5,65 A o . khối lượng nguyên tử của Ga và As là 69,72 g/mol và 74,92 g/mol
b. Một mãu bán dẫn GaAs pha tạp chất với Tin. Nếu Tin thay thế nguyên tử Ga trong mạng tinh thể, tạp chất donor hay acceptor sẽ hình thành? Tại sao? Bán dẫn hình thành thuộc loại n hay p?
KỸ THUẬT NUÔI CẤY TINH THỂ
Bài 1:
a. Silicon hay Silicon dioxide (SiO2) có điểm nóng chẩy cao hơn? Tại sao?
b. Tại sao một tinh thể hạt giống lại được sủ dụng cho việc nuôi cấy tinh thể?
c. Tại sao định hướng tinh thể của 1 wafer là quan trong?
d. Hai yếu tố nào được sử dụng để điều khiển đường kính của Silicon rod ( khối Silicon hình trụ, mà khi được “cắt” sẽ cho ta các đĩa wafer)
e. Tại sao trong công nghiệp các công ty có xu hướng sử dụng các wafer có đường kính càng lớn? ngững vấn đề khó khăn gì khi tăng và sử dụng đường kính wafer?
DẢI NĂNG LƯỢNG
Bài 1:
Sử thay đổi khe năng luwowngjcuar Silicon và GaAs theo nhiệt độ có thể được biểu diễn qua hàm
Vói thông số cho Silicon

Vói thông số cho GaAs

Tính khe năng lượng của Si và GaAs tại 100K và 600K.
MẬT ĐỘ HẠT DẪN NỘI TẠI
Bài 1:
Tại nhiệt độ phòng (300K) , mật độ hiểu dụng của trạng thái trong dải dẫn là ( cho Si) và (cho GaAs).
Tìm khối lượng hiệu dụng của lỗ trống trong Si và GaAs. So sánh những khối lượng của lỗ trống này với khối lượng của electron tự do.
Bài 2:
Hãy tìm vị trí của trong Silicon tại: nhiệt độ Nitow lỏng ( liquid nitrogen) ( 77K) ; nhiệt độ phòng (300K), và tại nhiệt độ sôi của nước ( ) .
Xem , và
Liệu hợp lý có khi giả sử rằng nằm ở giữa của dài cấm?
Bài 3:
Nhiệt độ nội tại ( intrinsic temp) của một bán dẫn là nhiệt độ mà ở nồng độ hạt dẫn nội tại bằng nồng độ tạp chất.
Hãy tính nhiệt độ nội tại khi Si pha tạp chất với nồng độ nguyên tử phosphorus/ .
DONOR VÀ ACCEPTOR
Bài 1:
một miếng bán dẫn Si tại T = 300K chứa tạp chất acceptor có nồng độ .
Xác định nồng độ của tạp chất donor cần thiết thêm vào để Si là loại n và năng lượng Fermi là dướ đáy dải dẫn 1 khoảng 0.2eV.
Bài 2:
Vẽ năng lượng cjo SI được pha tạp chất với ở 77K, 300K, và 600K. Yêu cầu khi vẽ , thề hiện mức Fermi và sử dụng mức Fermi nội tại như là tham khảo năng lượng.
Bài 3:
Tìm nồng độ electron, nồng độ lỗ trống và mức Fermi trong Si ở 300K với:
a.
b. nguyên tử và nguyên tử
Bài 4:
Một miếng bán dẫn Si pha tạp chất As có nồng độ
Tính nồng độ lỗ cân bằng nhiệt tại 300K.
Vị trí tương đối cùa so với ?
Bài 5:
Tính mức Fermi của Si được pha tạp chất phosphorus có nồng độ và tại nhiệt độ phòng (300K) . Giả thiết rằng quá trình ion hóa hoàn chỉnh.
Từ mức Fermi được tính toán, kiểm tra xem liệu việc giả thiết ion hóa hoàn chỉnh là hợp lý cho mỗi lần pha tạp chất?
Giả sử rằng donor được ion hóa được cho bởi công thức sau:

Bài 6:
Xét bán dẫn Si loại n với nồng độ tạp chất phosphorus và mức donor tại .
Tính tỉ số của mật độ donor “neutral” và mật độ donor ion hóa tại 77K, khi mức Fermi là nằm dưới đáy của dải dẫn 1 khoảng 0.0459.
Phương trình cho donor ion hóa theo câu btap phía trên.